FZ高阻氧化硅片

详细说明

硅片的热氧化层是在有氧化剂的高温条件下在硅片的裸片表面形成的氧化层或者二氧化硅层。硅片的热氧化层通常在水平管式炉中生长而成，生长温度范围一般为900℃~1200℃，有“湿法氧化”和“干法氧化”两种生长方式。热氧化层是一种“生长”而成的氧化物层，相较于CVD沉积的氧化层，它具有更高的均匀性和更高的介电强度。热氧化层是作为绝缘体的优异的介电层，在众多硅基器件中，热氧化物层在作为掺杂阻止层和表面电介质方面起着重要作用。

我公司提供2“~12”高质量的热氧化硅片，与我们合作的生厂商均选用优质、无缺陷的产品级硅片作为基底来生长高均匀性的热氧化层。以满足超越客户期望的性能。

采用常规热氧化工艺后，硅片的双面均有氧化层；如果只需单面氧化层，我们可采用研磨的办法去除一面氧化层而仅保留单面氧化层供货！

产品特点：

● 氧化层厚度均匀

● 平整度好

● 翘曲度小

● 尺寸公差小

● 表面无光滑无瑕疵